Краткий обзор Intel SSDSC2KW512G8X1 — Январь 2020

Intel 545s 512GB [SSDSC2KW512G8X1]

2.5″, SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/500 MBps, случайный доступ: 75000/85000 IOps

259,85 — 325,21 р. от 12 продавцов

10 лет на сайте
пользователь #180748

9 лет на сайте
пользователь #301382

Прикупил себе такой, только на 256 гигов, вторым SSD для игрулин. Вот тест в копилку

9 лет на сайте
пользователь #258731

Intel 545s 128GB вроде как неплохой аналог самсунга на 120 и при этом дешевле. Правда смущает негатив в сторону интела, вроде как у них медленные диски, быстро из строя выходят и т.д. мол прошлое 540 поколение было провалом.

2 года на сайте
пользователь #2268681

Не подскажете, является ли это браком? Уж больно маленькая скорость записи!

9 лет на сайте
пользователь #363280

Так же низко, уже что только не делал, все равно.

10 лет на сайте
пользователь #178116

Nic746, NIMERT,
Там народ в отзывах указывал, что нужно перейти в режим ACHI. Правда у них и чтение тоже было низким.

2 года на сайте
пользователь #2268681

Alex_ON, так уже в ACHI

2 года на сайте
пользователь #2268681

Не могу понять, в BIOSе выставил AHCI (Internet Peripherals-OnChip SATA Type-AHCI), а в контроллерах показывает IDE.

6 лет на сайте
пользователь #831429

Кто-нибудь может дать логичное объяснение формирования цен на данный ССД в наших интернет магазинах? Диски под кодом SSDSC2KW256G8XT и SSDSC2KW256G8X1 по цене отличаются на 20-40 рублей. По спецификации Intel это один и тот же диск, код заказа формирует количество дисков в поставке, 1, 10 или 50 шт.
Это что, попытка развода на бабки — типа XT это круто. Тогда мне SSDSC2KW256G8 по этой цене.

4 года на сайте
пользователь #1646708

Народ, вот вам статья
https://remontka.pro/ahci-windows-10/
Лично я делал всё по ней, не знаю как касательно остальных Windows, но для меня актуален был именно гайд для «десятки».

2 года на сайте
пользователь #2268681

Как помню при включенном IDE обновление программно-аппаратного обеспечения (Solid State Drive Toolbox) было невозможно, а теперь обновилось, видимо все-таки в AHCI

7 лет на сайте
пользователь #580707

Кто-нибудь может дать логичное объяснение формирования цен на данный ССД в наших интернет магазинах? Диски под кодом SSDSC2KW256G8XT и SSDSC2KW256G8X1 по цене отличаются на 20-40 рублей. По спецификации Intel это один и тот же диск, код заказа формирует количество дисков в поставке, 1, 10 или 50 шт.

Я тоже долго искал ответ на этот вопрос, лишь один чел сказал про уже написанное вами количество дисков в поставке. Может тот веник, что подешевле, идёт в пакетике, а не в коробке

12 лет на сайте
пользователь #101566

Уж больно маленькая скорость записи!

Так же низко, уже что только не делал, все равно.

А какие скорости ожидались от 128-ки? Как у 512-ки? Сегодня так не бывает, все у вас со скоростями в порядке на таком объеме, привыкайте, у подавляющего большинства современных 120Gb показатели значительно хуже.

7 лет на сайте
пользователь #671483

Не подскажете, является ли это браком? Уж больно маленькая скорость записи!

Уменя на этой модели ещё ниже 550 на 140

12 лет на сайте
пользователь #101566

Уменя на этой модели ещё ниже 550 на 140

5 лет на сайте
пользователь #1099217

Intel 545s 128GB вроде как неплохой аналог самсунга на 120 и при этом дешевле. Правда смущает негатив в сторону интела, вроде как у них медленные диски, быстро из строя выходят и т.д. мол прошлое 540 поколение было провалом.

Сегодня цены на 860 evo и 545s почти сравнялись. Crucial mx500 остается пока самым дешевым. Интел в 540 использовал какую-то слабую память от hynix, а в 545s поставил свою. Я думаю можно брать любой из этих дисков для старого ноута. Везде хорошая поддержка линукса, только ядро надо обновить до 4.19 хотябы.

9 лет на сайте
пользователь #258731

Сегодня цены на 860 evo и 545s почти сравнялись. Crucial mx500 остается пока самым дешевым. Интел в 540 использовал какую-то слабую память от hynix, а в 545s поставил свою. Я думаю можно брать любой из этих дисков для старого ноута. Везде хорошая поддержка линукса, только ядро надо обновить до 4.19 хотябы.

Да я сам сейчас выбираю что взять или самсунг 860 evo или Intel 545s или Crucial mx500. Самсунги вроде всем нравятся, особенно гарантию дают 3 года от магазина, но цена завышена причем значительно. Наверное все хапают их и цена потому такая. Crucial mx500 мне кажется более лучшим выбором, если выбирать между Crucial mx500 и Intel 545s. они почти индентичны внутри, даже контролелры почти идентичные и память. Но у Crucial mx500 есть обвязка хорошая типа конденсаторов вокруг чипов, а у Intel 545s ни фига нет такого, да и у более дорогого 860 evo тоже ничего на плате нет, там прямо дико экономично всё. Только с чего такие конские цены.

Обзор SSD-накопителя Intel SSD 545s: и снова Intel Inside

Трёхмерная 64-слойная флеш-память всё чаще используется в массовых твердотельных накопителях. Нам уже удалось подробно познакомиться с одним из продуктов, где недавно появилась такая память, – с обновлённым Samsung 850 EVO. Но данный SSD – далеко не единственный на сегодняшний день пример накопителя с 64-слойной TLC 3D NAND внутри. Серьёзным опережением конкурентов в деле разработки и внедрения многослойной флеш-памяти, которое доходило порой до 12-18 месяцев, компания Samsung могла похвастаться раньше, но сегодня от этого разрыва не осталось и следа. Более того, Samsung 850 EVO – это даже не первый на рынке массовый продукт, в котором нашла применение 64-слойная флеш-память.

Опередить бывшего технологического лидера внезапно удалось компании Intel, которая смогла наладить выпуск накопителей на базе собственной 64-слойной TLC 3D NAND в начале лета, когда в Samsung 850 EVO всё ещё использовалась память прошлого поколения с 48 слоями. Правда, пусть Samsung и запустила производство 64-слойной флеш-памяти парой месяцев позднее, зато сделала это с гораздо большим размахом. Тем не менее факт остаётся фактом: 64-слойная NAND сегодня – далеко не уникальное явление, доступное лишь избранным.

Потребительских накопителей, построенных на базе трёхмерной 64-слойной 3D NAND, на самом деле уже немало. Кроме Samsung и Intel освоила производство подобной памяти собственного дизайна (BiCS3) и Toshiba вместе с Western Digital. А совсем недавно они также запустили и серии продуктов на её основе: Toshiba TR200, SanDisk Ultra 3D и Western Digital Blue 3D. Но и этими моделями дело не ограничивается. Toshiba при посредничестве Phison начала поставлять собственную трёхмерную 64-слойную TLC 3D NAND на открытый рынок, поэтому в самое ближайшее время мы увидим массу достаточно неожиданных новинок от производителей второго-третьего эшелонов, где тоже будет использоваться 64-слойная память.

Столь большой и резко возникший интерес к трёхмерной памяти нового поколения совсем не случаен. 64-слойная память наконец-то смогла явно обозначить все плюсы многослойной компоновки ячеек. Современное поколение 3D NAND предлагает заметно более высокую плотность хранения данных и обладает более низкой по сравнению с планарной памятью себестоимостью, а благодаря увеличенному размеру ячеек она способна обеспечить неплохой уровень производительности и надёжности. Массовый переход индустрии на повсеместное применение 3D NAND сдерживается разве только производственными возможностями полупроводниковых предприятий. Тем не менее ожидается, что уже в следующем году объёмы поставок трёхмерной флеш-памяти окончательно превзойдут поставки планарной памяти, а это неминуемо отразится на структуре ассортимента доступных в продаже твердотельных накопителей.

Но прежде чем заводить речь о перспективах рынка потребительских SSD в свете повсеместного внедрения 3D NAND нового поколения, неплохо бы посмотреть, с чего всё началось. Поэтому Intel SSD 545s мы решили посвятить отдельный обзор. Ведь этим твердотельным накопителем, который стал пионерским решением на базе 64-слойной TLC 3D NAND, Intel хочет вернуть себе утраченные позиции в потребительском сегменте. То, что Intel в своё время отказалась внедрять на своём производстве флеш-памяти 16-нм техпроцесс, в конечном итоге привело её к большим трудностям с формированием модельного ряда. Компании даже приходилось закупать память на стороне, у SK Hynix, и это серьёзно ограничивало свободу творчества интеловских инженеров и отрицательно сказывалось на производительности разрабатываемых ими решений. Теперь же никаких проблем подобного рода нет, и Intel SSD 545s – это продукт совершенно нового уровня, который с точки зрения потребительских характеристик не имеет почти ничего общего с прошлым и достаточно спорным SATA SSD компании — 540s.

Название новинки Intel SSD 545s недвусмысленно намекает на то, что мы имеем дело с апгрейдом модели SSD 540s, и это в общем-то верно. Однако, честно говоря, модельный номер справедливо было бы нарастить гораздо заметнее, ведь SSD 545s и его предшественник различаются как небо и земля. Они не сходятся ни по контроллеру, ни по используемой памяти. Да и найти что-то общее в характеристиках быстродействия этих моделей очень непросто.

Тем не менее преемственность всё же прослеживается хотя бы потому, что, как и раньше, Intel продолжает своё сотрудничество с тайваньским производителем контроллеров Silicon Motion. Иными словами, SSD 545s – это ещё один, уже третий по счёту, потребительский накопитель Intel, в основе которого лежит контроллер SMI. Но в данном случае это – не знакомая нам микросхема SM2258, которая используется в SSD 540s, а более новый чип SM2259. По всей видимости, у Intel выстроены с Silicon Motion какие-то особые отношения, поскольку никаких других твердотельных накопителей, где бы использовался контроллер SMI SM2259, на рынке пока нет. Но данная разработка общедоступна, и со временем производители второго-третьего эшелона должны взять её на вооружение вслед за Intel.

Тем более что смысл перехода с SM2258 на SM2259 вполне очевиден. Хотя архитектура в новой модификации контроллера не изменилась — он по-прежнему основан на 32-битном RISC-процессоре и использует для общения с массивом флеш-памяти четыре канала, его тактовая частота увеличена. Благодаря этому SM2259 способен обеспечивать примерно на 10 процентов более высокую производительность при случайных операциях. Кроме того, в новом чипе добавлена коррекция ошибок при обработке данных внутри контроллера, что увеличивает надёжность построенных на нём платформ.

Как и в случае с SSD 540s, для нового SATA SSD разработчики Intel не стали брать у Silicon Motion платформу SM2259 в её эталонном виде, а написали для неё собственную микропрограмму. Здесь следует напомнить, что в прошлый раз подобный опыт обернулся серьёзными проблемами, и интеловская микропрограмма для SM2258 оказалась даже хуже стандартной. Например, в Intel SSD 540s не было поддержки режима записи Direct-to-TLC, и это приводило к драматическому падению производительности накопителя, когда при записи данных заканчивалось место в SLC-кеше. Кроме того, в первых версиях прошивок для SSD 540s присутствовали откровенные баги, из-за которых накопитель при интенсивной нагрузке попросту зависал.

Но на этот раз никаких подобных проблем с микропрограммой не наблюдается. Программная часть Intel SSD 545s хорошо отлажена и оптимизирована; функция «Direct-to-TLC» работает, как ей и положено; да и вообще, новинка с полным правом претендует на то, чтобы потягаться силами с лучшими продуктами на TLC-памяти, например с тем же Samsung 850 EVO.

Во многом способствует этому новая 64-слойная интеловская память с трёхбитовыми ячейками, которая в SSD 545s пришла на смену планарной трёхбитовой памяти SK Hynix. Надо сказать, что 16-нм TLC NAND производства SK Hynix, которая устанавливалась в SSD 540s, – один из самых медленных вариантов современной флеш-памяти для твердотельных накопителей. Но и первая версия интеловской TLC 3D NAND, имеющая 32-слойный дизайн, не намного лучше. Например, она применяется в NVMe-накопителе Intel SSD 600p, который без особого труда удерживает звание самого медленного устройства в своём классе, и такому положению вещей во многом способствует именно интеловская трёхмерная флеш-память первого поколения.

Основная проблема 32-слойной TLC 3D NAND производства Intel заключается в том, что она имеет крупные 384-гигабитные ядра, которые требуют использования страниц увеличенного размера. Это создаёт определённые неудобства при операциях с данными и порождает дополнительные задержки. К тому же не являющийся степенью двойки объём кристаллов 32-слойной TLC 3D NAND приводит к тому, что в SSD приходится использовать массивы флеш-памяти со странной несимметричной конфигурацией каналов либо же вообще полностью отключать у контроллеров часть каналов.

Работая над второй версией TLC 3D NAND, компания Intel учла предыдущие просчёты, и память с удвоенным числом слоёв получила не 768-гигабитные ядра, как предполагалось изначально, а гораздо более удобные для использования в составе SSD кристаллы объёмом 256 Гбит. Это, безусловно, повысило их себестоимость, но тем не менее интеловская 64-слойная TLC 3D NAND всё равно выгодна в производстве: не стоит забывать об уникальной технологии CuA (CMOS Under-the-Array), которая позволяет помещать управляющую логику под матрицей ячеек флеш-памяти, что дополнительно сокращает площадь кристаллов и увеличивает их плотность.

В результате Intel SSD 545s выглядит очень привлекательно. Суммируя всё вышесказанное, можно заключить, что в нём проведён в жизнь очень убедительный набор позитивных перемен, ставящих его на голову выше Intel SSD 540s. Вместо контроллера SM2258 используется более новый чип SM2259 с увеличенной производительностью; прошивка значительно оптимизирована и получила поддержку режима Direct-to-TLC; а вместо медленной планарной TLC NAND производства SK Hynix применяется собственная интеловская 64-слойная TLC 3D NAND с архитектурой, подогнанной под потребности SSD. Всё это, естественно, сказалось на характеристиках, которые у новинки выглядят следующим образом:

Твердотельный накопитель Intel® серии 545s

Спецификации

Сравнение продукции Intel®

Основные данные

• Коллекция продукции Твердотельный накопитель Intel® серии 545s
• Кодовое название Продукция с прежним кодовым названием Liberty Harbor
• Емкость 512 GB
• Состояние Launched
• Дата выпуска Q2’17
• Тип литографии 3D2 TLC
• Не включенные в план выпуска продукты Нет

Производительность

• Последовательное чтение (в пределах) 550 MB/s
• Последовательная запись (в пределах) 500 MB/s
• Случайное чтение (участок 8 ГБ) (в пределах) 75000 IOPS
• Случайная запись (участок 8 ГБ) (в пределах) 85000 IOPS
• Задержка — чтение 50 µs
• Задержка — запись 60 µs
• Питание — активный режим 4.5W
• Питание — режим простоя 50mW

Надежность

• Вибрация — при работе 2.17 GRMS (5-700Hz)
• Вибрация — при хранении 3.13 GRMS (5-800Hz)
• Ударная нагрузка (при работе и при хранении) 1500 G (Max) at 0.5 msec
• Диапазон рабочих температур 0°C to 70°C
• Рабочая температура (максимум) 70 °C
• Рабочая температура (минимум) 0 °C
• Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации) 288 TBW
• Среднее время наработки на отказ 1.6 Million Hours
• Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)

Дополнительная информация

• Техническое описание Смотреть
• Краткое описание продукции Смотреть

Спецификации корпуса

• Вес 43 grams
• Форм-фактор 2.5″ 7mm
• Interface SATA 3.0 6Gb/S

Усовершенствованные технологии

• Расширенная защита от потери данных при отключении питания Нет
• Аппаратное шифрование AES 256 bit
• High Endurance Technology Нет
• Мониторинг и журналирование температуры Нет
• Комплексная защита данных Да
• Технология Intel® Smart Response Да
• Intel® Rapid Start Technology Да
• Intel® Remote Secure Erase Нет

Заказ и соблюдение требований

Информация о заказе и спецификациях

Intel® SSD 545s Series (512GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box Single Pack

• MM# 958661
• Код заказа SSDSC2KW512G8X1

Intel® SSD 545s Series (512GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Generic 50 Pack

• MM# 958668
• Код заказа SSDSC2KW512G8

Intel® SSD 545s Series (512GB, 2.5in SATA 6Gb/s, 3D2, TLC) Retail Box 10 Pack

• MM# 959553
• Код заказа SSDSC2KW512G8XT

Информация о соблюдении торгового законодательства

• ECCN 5A992C
• CCATS G160321
• US HTS 8523510000

Информация о PCN/MDDS

• 958661 PCN | MDDS
• 958668 PCN | MDDS
• 959553 PCN | MDDS

Файлы для загрузки и ПО

Дата выпуска

Дата выпуска продукта.

Последовательное чтение (в пределах)

Скорость, с которой устройство может извлекать данные, которые формируют один нефрагментированный упорядоченный блок данных. Измеряется в МБ/с (мегабайт в секунду)

Последовательная запись (в пределах)

Скорость, с которой устройство может записывать данные в один нефрагментированный упорядоченный блок данных. Измеряется в МБ/с (мегабайт в секунду)

Случайное чтение (участок 8 ГБ) (в пределах)

Скорость, с которой SSD может извлекать данные из произвольных местоположений в памяти, в пределах 8 Гб LBA (логическая адресация блоков данных) диска. Изменяется в IOPS (операции ввода/вывода в секунду)

Случайная запись (участок 8 ГБ) (в пределах)

Скорость, с которой SSD может записывать данные в произвольные местоположения в памяти, в пределах 8 Гб LBA (логическая адресация блоков данных) диска. Изменяется в IOPS (операции ввода/вывода в секунду)

Задержка — чтение

Задержка чтения означает время, затраченное на выполнение задачи извлечения данных. Измеряется в микросекундах.

Задержка — запись

Задержка записи означает время, затраченное на выполнение задачи записи на диск. Измеряется в микросекундах.

Питание — активный режим

Активный режим потребления питания указывает на обычное потребление питание устройства, когда оно находится в рабочем состоянии.

Питание — режим простоя

Режим малого потребления питания указывает на обычное потребление питание устройства, когда оно находится в состоянии простоя.

Вибрация — при работе

Вибрация при работе указывает на проверенную возможность SSD выдерживать вибрацию в рабочем состоянии и оставаться в рабочем состоянии. Измеряется в G-force RMS (среднеквадратическое значение)

Вибрация — при хранении

Вибрация при хранении указывает на проверенную возможность SSD выдерживать вибрацию в нерабочем состоянии и оставаться в рабочем состоянии. Измеряется в G-force RMS (среднеквадратическое значение)

Ударная нагрузка (при работе и при хранении)

Ударная нагрузка указывает проверенную способность SSD выдерживать зарегистрированную ударную нагрузку как в рабочем, так и в нерабочем состоянии, оставаясь при этом действующим. Измеряется в динамической нагрузке (макс.)

Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации)

Рейтинг износоустойчивости указывает число циклов хранения данных, ожидаемое в течение жизненного цикла устройства.

Среднее время наработки на отказ

MTBF (Среднее время наработки на отказ) указывает на продолжительность прошедшего ожидаемого рабочего времени между сбоями. Измеряется в часах.

Доля неустранимых битовых ошибок (UBER)

Доля неустранимых битовых ошибок (UBER) указывает на число неустранимых битовых ошибок, разделенное на общее число переданных битов во время интервала тестирования.

Форм-фактор

Форм-фактор указывает на размер и форму устройства в соответствии с отраслевыми стандартами.

Interface

Интерфейс указывает метод взаимодействия с шиной отраслевого стандарта, используемый устройством.

Расширенная защита от потери данных при отключении питания

Расширенная защита от потери данных при отключении питания подготавливает SSD-диск к неожиданному отключению системы за счет минимизации перемещаемых данных во временных буферах, и использует встроенный конденсатор, чтобы обеспечить микропрограммному обеспечению SSD-диска достаточное питание для перемещения данных из буфера передачи и других временных буферов в память NAND, тем самым защищая системные и пользовательские данные.

Аппаратное шифрование

Аппаратное шифрование — это шифрование данных, выполняемое на уровне секторов диска. Оно используется для защиты данных, хранящихся на диске, от нежелательного вторжения.

High Endurance Technology

High Endurance Technology (HET) — это технология производства твердотельных накопителей с улучшенной износостойкостью, сочетающая усовершенствованную кремниевую структуру модулей NAND флэш-памяти Intel® и технологии управления системами твердотельных накопителей, что позволяет улучшить износоустойчивость твердотельного накопителя. Износостойкость определяется объемом данных, которые могут быть записаны на SSD в течение срока его эксплуатации.

Мониторинг и журналирование температуры

Мониторинг и регистрацию температуры использует встроенный датчик температуры для контроля и регистрации воздушного потока и температуры внутри устройства. Протокол результатов можно просмотреть с помощью команды SMART.

Комплексная защита данных

Функция End-to-End Data Protection обеспечивает безопасность данных при их перемещении на твердотельный накопитель и обратно.

Технология Intel® Smart Response

Технология Intel® Smart Response сочетает высокую производительность небольших твердотельных накопителей с большими объемами жестких дисков.

Intel® Rapid Start Technology

Технология Intel® Rapid Start позволяет быстро выводить систему из состояния гибернации.

Intel® Remote Secure Erase

Intel® Remote Secure Erase предоставляет ИТ-администраторам безопасный метод удаленного стрирания твердотельных дисков Intel из привычной консоли управления, если система удаляется или перепрофилируется. Это обеспечивает немедленное повторное использование, при сохранении административного времени и затрат.

Дополнительные варианты поддержки Твердотельный накопитель Intel® серии 545s (512 ГБ, 2,5 дюйма, SATA, 6 Гбит/с, 3D2, TLC)

Вам нужна дополнительная помощь?

Оставьте отзыв

Оставьте отзыв

Наша цель — сделать семейство инструментов ARK максимально полезным для вас ресурсом. Оставьте свои вопросы, комментарии или предложения здесь. Вы получите ответ в течение 2 рабочих дней.

Ваши комментарии отправлены. Спасибо за ваш отзыв.

Предоставленная вами персональная информация будет использована только для ответа на этот запрос. Ваше имя и адрес электронной почты не будут добавлены ни в какие списки рассылок, и вы не будете получать электронные сообщения от корпорации Intel без вашего запроса. Нажимая кнопку «Отправить», вы подтверждаете принятие Условий использования Intel и понимание Политики конфиденциальности Intel.

Вся информация, приведенная в данном документе, может быть изменена в любое время без предварительного уведомления. Корпорация Intel сохраняет за собой право вносить изменения в цикл производства, спецификации и описания продукции в любое время без уведомления. Информация в данном документе предоставлена «как есть». Корпорация Intel не делает никаких заявлений и гарантий в отношении точности данной информации, а также в отношении характеристик, доступности, функциональных возможностей или совместимости перечисленной продукции. За дополнительной информацией о конкретных продуктах или системах обратитесь к поставщику таких систем.

Классификации Intel приведены исключительно в информационных целях и состоят из номеров классификации экспортного контроля (ECCN) и номеров Гармонизированных таможенных тарифов США (HTS). Классификации Intel должны использоваться без отсылки на корпорацию Intel и не должны трактоваться как заявления или гарантии в отношении правильности ECCN или HTS. В качестве импортера и/или экспортера ваша компания несет ответственность за определение правильной классификации вашей транзакции.

Формальные определения свойств и характеристик продукции представлены в техническом описании.

‡ Эта функция может присутствовать не во всех вычислительных системах. Свяжитесь с поставщиком, чтобы получить информацию о поддержке этой функции вашей системой или уточнить спецификацию системы (материнской платы, процессора, набора микросхем, источника питания, жестких дисков, графического контроллера, памяти, BIOS, драйверов, монитора виртуальных машин (VMM), платформенного ПО и/или операционной системы) для проверки совместимости с этой функцией. Функциональные возможности, производительность и другие преимущества этой функции могут в значительной степени зависеть от конфигурации системы.

Анонсированные артикулы (SKUs) на данный момент недоступны. Обратитесь к графе «Дата выпуска» для получения информации о доступности продукции на рынке.

Для технологии Intel® Rapid Start требуется соответствующий процессор Intel®, ПО Intel® и обновление BIOS, а также твердотельный или гибридный накопитель. Результаты могут различаться в зависимости от конфигурации системы. Для получения дополнительной информации свяжитесь с производителем своей системы.

Для технологии Intel® Smart Response требуются подходящий процессор Intel® Core™, набор микросхем с поддержкой данной технологии, программное обеспечение технологии хранения Intel® Rapid и надлежащая гибридная конфигурация накопителей (жесткий диск и твердотельный накопитель меньшей емкости). Результаты могут различаться в зависимости от конфигурации системы. Для получения дополнительной информации свяжитесь с производителем своей системы.

Источники:

http://forum.onliner.by/viewtopic.php?t=22000005
http://3dnews.ru/961605
http://ark.intel.com/content/www/ru/ru/ark/products/125019/intel-ssd-545s-series-512gb-2-5in-sata-6gb-s-3d2-tlc.html